通过在正面(top-前几层出高速serdes或者其他信号，后几层至bot面给电源走线)给信号走线，提高了逻辑密度和性能；改善了电源传输&减少电源压降；新型的背面接触维持了栅极密度和元件调制灵活性；自有制造模式：如英特尔、三星的IDM模式（Integrated Device Manufacturer）可以部分视为替代形式，但市场需求和规模依然支持纯代工模式。
技术进步带动AI的爆发式增长，意味着需要更多的算力，更高的带宽内存，更大规模的异质集成；为满足NVIDIA&其他客户，逐年对芯片制程越来越高的需求，TSMC的芯片制程已由N16(16nm)逐渐发展到如今的N3(3nm)，以及预计2026年将要量产的A16(1.6nm)。
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传统的交换芯片-光模块的serdes功耗已经非常大了，目前的解决方案是LPO或者CPO这2个比较主流的解决方案，LPO的话，112G serdes还是可以搞定的，但是224G 估计问题很大，在往后发展可能又需要找其他的解决方案。l 东洋（Toyo System，日本）：提供洁净室及相关设备。
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TSMC新型的背面供电方案：top-前几层出高速serdes或者其他信号，后几层至bot面给电源走线)，时钟应该不会放到电源层，不然干扰会很严重，除非间距很大。l 泛林集团（Lam Research，美国）：刻蚀、沉积设备。