客畅网4月28日讯，SK海力士在台积电北美技术论坛期间，首度对外披露其HBM4研发成果，成为该领域唯一进行实物展示的企业，并同步亮相多款创新存储产品。
行业观察显示，SK海力士在HBM4赛道已建立显著优势。知情人士透露，该企业已完成商用版本研发，相较之下，美光与三星等竞争者尚处于工程样品验证阶段。
技术参数显示，该系列产品单颗存储容量达到48GB，传输带宽突破2.0TB/s，接口速率提升至8.0Gbps。量产时间表指向2025年第三季度，预期年底前可完成相关芯片集成适配。
企业同时揭晓16层堆叠的HBM3E解决方案，实现1.2TB/s传输性能。工程师透露，突破性层数得益于改良型批量塑封工艺及硅通孔技术的协同优化。
该制式将适配英伟达GB300人工智能计算平台，据供应链消息，下一代Vera Rubin架构亦规划搭载HBM4存储方案。
企业技术展区还陈列全新服务器内存矩阵，涵盖RDIMM与MRDIMM两大系列，基于1c纳米制程打造，实测存取速度达12500MB/s。
官方技术白皮书披露，研发团队针对人工智能运算场景开发了多规格解决方案：涵盖64GB/96GB/256GB三种容量的高速MRDIMM模组（12.8Gbps）；适应不同能效需求的RDIMM模组（8Gbps）；以及采用3D堆叠技术的256GB大容量服务器内存模组。
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